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| 仪器中文名 | 原子层沉积系统 |
| 仪器英文名 | Atomic Layer Deposition System |
| 型号 | Savannah G2 S200 |
| 制造商 | 美国 维易科 |
| 产地 | 美国 |
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| 仪器负责人 | |
| 可对外开放时间 | |
| 安放地点 | 综合科研楼B132-2 |
| 所在实验室 |
物性评价
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| 仪器编号 | |
| 主要规格 |
沉积非均匀性小于1%、深宽比大于1000:1；可实现Hf1-x Zrx O2 (x~0.5)（HZO）掺杂工艺，掺杂比例可调；可实现用于薄膜封装的SAMs自组装单分子层薄膜沉积生长；可实现用于光电器件的70℃低温生长SnO2薄膜；可实现50℃低温生长HfO2薄膜（1nm~5nm）工艺，给电池片或芯片剖面结构染色；可实现一次性10片Batch批处理生长工艺。
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| 技术指标 |
氧化物SnO2、Al2O3、NiOx；沉积均匀性：≤3%；深宽比：≥20:1；基质尺寸：≥4英寸；反应腔体 内外双区域加热生长腔体，双区域可以独立加热，最高基板加热温度：≥350℃；基质尺寸：≥4英寸；前驱源通道管线不少于2路，具有加热系统。
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| 功能 |
在各种平面（含复杂形状）或三维基底（模板）上制备高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。
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| 应用范围 |
可沉积薄膜种类多，涵盖金属、氧化物、多元氧化物，以及有机自组装单分子层（SAMS）。
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| 主要附件 | |
| 收费标准 |
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| 检测说明 |
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| 备注 |
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